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Il sistema al plasma MYW10 offre un processo di trattamento della superficie dei wafer altamente flessibile e ad alta produttività.
• Sistema al plasma di argon a pressione atmosferica
• Elaborazione batch di plasma in linea da 100 mm di larghezza; offre un'efficienza da 2 a 5 volte superiore e costi operativi inferiori di oltre il 30% rispetto ai metodi tradizionali
• Plasma neutro al 100%; sicuro e delicato sui componenti elettronici sensibili: nessun bombardamento di plasma, elettricità statica, scintille, archi elettrici, polvere, calore elevato, increspature superficiali o radiazioni UV, garantendo zero danni al prodotto
• Processi chimici versatili: processo O2 per la rimozione di contaminanti organici; Processo H2 per la rimozione degli ossidi metallici e l'attivazione delle superfici del prodotto
• Non provoca contaminazione da particelle o cambiamenti nella ruvidità superficiale del wafer
• Compatibile con la produzione sia di wafer che di frame a nastro, consentendo un rapido passaggio tra i due
• Soddisfa gli standard per camere bianche e SEMI di Classe 10
| Parametri di base | MYW10 |
| Requisiti di alimentazione | CA 380 V, 13 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Requisiti di pressione dell'aria | 90 PSI (6 bar) |
| Dimensioni | 2000 x 2800 x 2200 mm |
| Peso | 2200 chilogrammi |
| Standard di certificazione | SEMI S2/S6/S8 |
| Precisione di posizionamento | XY: ±20 µm a 3σ; Z: ±10 µm a 3σ |
| Ripetibilità dell'asse XYZ | XY: ±10 µm a 3σ; Z: ±5 µm a 3σ |
| Velocità massima | 1.000 mm/s (XY) |
| Accelerazione | 1,0 g |
| Sistema di guida | Servo CA |
| Specifiche della piattaforma di lavoro | |
| Metodo di carico/scarico | OHT + Porta di carico + Braccio robotico |
| Carico utile del braccio robotico | 3 chilogrammi |
| Dimensioni wafer compatibili | 12 pollici (300 mm) |
| Sistema operativo del software | finestre10 |
| Viaggio X/Y | 400 mm/500 mm |
| Corsa dell'asse Z | 20 mm |
| Protocollo di comunicazione | SECONDI/GEM |
| Gamma operativa | |
| Area di trattamento al plasma (L×P) | 300×300mm |
| Angolo di contatto con l'acqua post-trattamento (WCA) | WCA < 10° (wafer di silicio) |
| Metodo di trattamento al plasma | Processo O2 per la rimozione dei contaminanti organici Processo H2 per la rimozione degli ossidi metallici |
| Requisiti di sistema del plasma | |
| Potenza RF | 600 W a 27,12 MHz |
| Gas plasma principale | Argon |
| Gas di processo | O2, N2 o H2 |
| Intervallo di pressione di alimentazione del gas | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Indirizzo
5° piano, edificio 2, n. 182, Chang'an Xi'an Road, città di Chang'an, Dongguan, provincia del Guangdong, Cina.
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