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La serie MYS10 è un sistema di lavorazione del plasma in linea completamente automatizzato sviluppato per applicazioni in settori quali semiconduttori, elettronica, SMT, optoelettronica e tecnologia medica.
• Sistema al plasma di argon a pressione atmosferica
• Lavorazione al plasma batch in linea da 100 mm di larghezza; offre un'efficienza da 2 a 5 volte superiore e costi operativi inferiori di oltre il 30% rispetto ai metodi tradizionali
• Plasma neutro al 100%; sicuro e delicato sui componenti elettronici sensibili: non genera bombardamento di plasma, elettricità statica, scintille, archi, polvere, calore elevato, increspature superficiali o radiazioni UV, garantendo zero danni ai prodotti
• Piattaforma plasma compatta che offre elevata flessibilità e compatibilità
• Processi chimici versatili: processo O2 per la rimozione di contaminanti organici; Processo H2 per la rimozione degli ossidi metallici e l'attivazione delle superfici del prodotto
• Nessuna generazione di particolato o contaminanti liquidi
| Specifiche di base | MYS10 |
| Requisiti di alimentazione | CA 200–240 V, 4,4 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Requisiti di pressione dell'aria | 90 PSI (6 bar) |
| Dimensioni | 790 x 1200 x 1880 mm |
| Peso | 800 chilogrammi |
| Standard di certificazione | CE, SEMI S2 |
| Precisione di posizionamento | XY: ±30 µm a 3σ; Z: ±10 µm a 3σ |
| Ripetibilità dell'asse XYZ | XY: ±15 µm a 3σ; Z: ±5 µm a 3σ |
| Velocità massima | 1.000 mm/s (XY) |
| Accelerazione | 1,0 g |
| Sistema di guida | Servo CA |
| Specifiche della piattaforma di lavoro | |
| Tipo di traccia | Cintura |
| Capacità di carico ferroviario | 3 chilogrammi |
| Intervallo di spessore del substrato (senza supporto) | 0,5–6 mm |
| Corsa dell'asse Z | 100 mm |
| Massimo. altezza del componente (lato superiore) | 26 mm |
| Massimo. altezza del componente (lato inferiore) | 23 mm |
| Protocollo di comunicazione | SMEMA |
| Campo di lavoro | |
| Area di trattamento al plasma (L×P) | 350–475 mm |
| Angolo di contatto con l'acqua (WCA) dopo il trattamento al plasma | WCA < 10° (wafer di silicio) WCA < 20° (Non metallico) |
| Metodo di trattamento al plasma | Processo O2 per la rimozione dei contaminanti organici Processo H2 per la rimozione degli ossidi metallici |
| Requisiti del sistema plasma | |
| Potenza RF | 600 W a 27,12 MHz |
| Gas plasma principale | Argon |
| Gas di processo | O2, N2 o H2 |
| Intervallo di pressione di alimentazione del gas | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Indirizzo
5° piano, edificio 2, n. 182, Chang'an Xi'an Road, città di Chang'an, Dongguan, provincia del Guangdong, Cina.
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