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MYS10SD è un sistema di elaborazione del plasma in linea completamente automatizzato sviluppato per applicazioni in settori quali Mini LED, elettronica, SMT, optoelettronica e tecnologia medica.
• Sistema al plasma ad argon ad ampia area a pressione atmosferica
• Lavorazione al plasma batch in linea da 100 mm di larghezza; offre un'efficienza da 2 a 5 volte superiore e costi operativi inferiori di oltre il 30% rispetto ai metodi tradizionali
• La temperatura superficiale del prodotto rimane inferiore a 45°C durante la lavorazione
• Avvio istantaneo senza tempi di riscaldamento richiesti, con conseguente risparmio di tempo di produzione
• Capace di elaborare un'ampia gamma di prodotti; supporta la commutazione flessibile tra teste plasma di varie dimensioni
• Piattaforma al plasma altamente flessibile, compatibile ed economica
• Capace di una pulizia mirata su aree specifiche del prodotto
| Specifiche di base | MYS10SD |
| Requisiti di alimentazione | CA 200~240 V, 3,2 kW, 15 A, 50 Hz |
| Requisiti di pressione dell'aria | 90 PSI (6 bar) |
| Dimensioni | 990*1300*1800mm |
| Peso | 680 kg |
| Standard di certificazione | CE |
| Precisione di posizionamento | XYZ: ±50μm @ 3σ |
| Ripetibilità dell'asse XYZ | XYZ: ±25μm a 3σ |
| Velocità massima | 600 mm/s (XY) |
| Accelerazione | 0,6 g |
| Sistema di guida | Servo CA |
| Specifiche della piattaforma di lavoro | |
| Tipo di trasportatore | Cintura |
| Capacità di carico del trasportatore | 3kg |
| Intervallo di spessore del substrato (senza supporto) | |
| 0,5–10 mm | |
| Corsa dell'asse Z | 60 mm |
| Massimo. altezza del componente (lato superiore) | 100 mm |
| Massimo. altezza del componente (lato inferiore) | 100 mm |
| Protocollo di comunicazione | SMEMA |
| Campo di lavoro | |
| Area di trattamento al plasma (L × P) | 475–480 mm |
| Angolo di contatto post-trattamento (WCA) | WCA < 10° (wafer di silicio) WCA < 20° (Non metallico) |
| Metodo di trattamento al plasma | Processo Ar+O2 per la rimozione dei contaminanti organici |
| Requisiti del sistema plasma | |
| Potenza RF | 250 W a 13,56 MHz |
| Gas plasma principale | Argon |
| Gas di processo | O2 |
| Intervallo di pressione di alimentazione del gas | 40–120 psi (0,3–0,8 MPa) |
Indirizzo
5° piano, edificio 2, n. 182, Chang'an Xi'an Road, città di Chang'an, Dongguan, provincia del Guangdong, Cina.
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