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Il sistema al plasma MYL10 consente di ottenere trattamenti superficiali ad alta produttività per lead frame.
• Sistema al plasma di argon a pressione atmosferica
• Lavorazione al plasma batch in linea da 100 mm di larghezza; offre un'efficienza da 2 a 5 volte superiore e costi operativi inferiori di oltre il 30% rispetto ai metodi tradizionali; produttività massima di 1.800 UPH
• Produzione ad alta produttività e altamente flessibile: in grado di elaborare lead frame di varie dimensioni, inclusa la lavorazione simultanea di diverse dimensioni
• Plasma neutro al 100%: sicuro e delicato sui componenti elettronici sensibili; non genera bombardamento di plasma, elettricità statica, scintille, archi, polvere, calore elevato, increspature superficiali o radiazioni UV, garantendo l'assenza di danni al prodotto
• Processi chimici multipli: il processo O2 rimuove i contaminanti organici; Il processo H2 rimuove gli ossidi metallici e attiva le superfici del prodotto
• Nessuna contaminazione di particelle o liquidi generata sul prodotto
| Parametri di base | MYL10 |
| Requisiti di alimentazione | CA 200~240 V, 5 kW, 23 A, 50/60 Hz |
| Requisiti di pressione dell'aria | 90 PSI (6 bar) |
| Dimensioni | 1500 x 2100 x 2100 mm |
| Peso | 2500 chilogrammi |
| Standard di certificazione | CE, SEMI S2 |
| Precisione di posizionamento | XY: ±20 µm a 3σ; Z: ±5 µm a 3σ |
| Ripetibilità dell'asse XYZ | XY: ±15 µm a 3σ; Z: ±5 µm a 3σ |
| Velocità massima | 1.000 mm/s (XY) |
| Accelerazione | 1,0 g |
| Sistema di guida | Servo CA |
| Parametri della piattaforma di lavoro | |
| Tipo di binario | Sbarra |
| Numero di binari | 4 |
| Gamma di spessori del prodotto | 0,1–1 mm |
| Corsa dell'asse Z | 100 mm |
| Massimo. Produttività (UPH) | 1800 |
| Protocollo di comunicazione | SMEMA |
| Campo di lavoro | |
| Area di trattamento al plasma (L×P) | 300–1320 mm |
| Metodo di trattamento al plasma | Processo O2 per la rimozione di contaminanti organici Processo H2 per la rimozione degli ossidi metallici |
| Requisiti del sistema plasma | |
| Potenza RF | 600 W a 27,12 MHz |
| Gas plasma principale | Argon |
| Gas di processo | O2, N2 o H2 |
| Intervallo di pressione di alimentazione del gas | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Indirizzo
5° piano, edificio 2, n. 182, Chang'an Xi'an Road, città di Chang'an, Dongguan, provincia del Guangdong, Cina.
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