Gestisce facilmente il trattamento superficiale dei componenti sensibili
- Plasma di argon con capacità di contatto
- Non genera scintille, archi, polvere, radiazioni UV o calore eccessivo
- Nessun rischio di scariche elettrostatiche (ESD) per i componenti elettronici sensibili (ad esempio wafer, lead frame, parti di imballaggio di semiconduttori)
| Parametri di base | Piattaforma del sistema di trattamento superficiale al plasma MYS |
| Requisiti di alimentazione | 220 V, 2 kW, 10 A, 60 Hz |
| Requisiti del gas | 90 PSI (6 bar) |
| Dimensioni (L x P x A) | 1.200 x 770 x 1.400 mm |
| Peso | 650 chilogrammi |
| Certificazione | CE |
| Precisione di posizionamento | XY: ±30 µm a 3σ; Z: ±10 µm a 3σ |
| Ripetibilità degli assi X, Y, Z | XY: ±15 µm a 3σ Z: ±5 µm a 3σ |
| Velocità massima | 1.000 mm/s (X, Y) |
| Accelerazione | 1,0 g |
| Risoluzione della fotocamera | 640 x 480 pixel (0,3 MP) |
| Sistema di guida | Servo CA |
| Tipo di trasportatore | Cintura |
| Capacità di carico del trasportatore | 3 chilogrammi |
| Larghezza minima del prodotto | 50mm |
| Larghezza massima del prodotto | 475 mm |
| Lunghezza minima del prodotto | 50mm |
| Lunghezza massima del prodotto | 350 mm |
| Sistema operativo del software | finestre7 |
| Gamma di spessori del prodotto | 0,5–6 mm |
| Protocollo di comunicazione | SMEMA |
| Area di trattamento al plasma (P x L) | 475 x 350 mm |
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| Specifiche di base | Requisiti di sistema del plasma |
| Potenza RF | 600 W a 27,12 MHz |
| Gas plasma primario | Argon |
| Gas di processo | O2, N2 o H2 (altri soggetti a test) |
| Intervallo di pressione di alimentazione del gas | 30–100 psig (0,2–0,7 MPa) |
Indirizzo
5° piano, edificio 2, n. 182, Chang'an Xi'an Road, città di Chang'an, Dongguan, provincia del Guangdong, Cina.
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